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美风险企业公开可利用硅量子点提高性能的图像传感器技术

发布时间:2010-03-29 来源:技术在线

产品特性:
  • 外部量子效率可提高到90~95%
  • 光检测能力可提高到1.5~2倍
  • 在半导体上形成硅量子点薄膜
应用范围:
  • 图像传感器

美国风险企业InVisage Technologies公开了采用硅量子点的图像传感器技术。据介绍,采用这种该公司称为“QuantumFilm”的技术,外部量子效率可提高到90~95%,与此前的CMOS图像传感器相比,光检测能力可提高到1.5~2倍左右。该公司总裁兼首席执行官Jess Lee表示,“我们认为,要促使基于半导体技术的图像传感器领域发展,较为理想的做法是以全新的思维重新开发”。Lee以前曾在美国知名图像传感器企业豪威科技(OmniVision Technologies)担任过副总裁。

作为采用QuantumFilm技术的首款产品,InVisage比较关注手机用图像传感器市场。预定2010年第四季度开始样品供货。2011年中期开始量产。

终端厂商可像迄今的图像传感器一样使用InVisage的图像传感器。目前尚未公开产品化初期时图像传感器的功能及价格等详情。关于价格,该公司的目标是实现“价格与市售的500~800万像素产品相同,而性能却远远高于原产品”(Lee)。

特点是在半导体上形成硅量子点薄膜
InVisage开发的QuantumFilm技术,需要在普通的CMOS层上形成0.5μm厚的膜。这种膜上嵌有2~5nm直径的硅量子点。这种薄膜可进行光检测,还可将转换为数字数据的信息转送至膜下面的半导体层。另外,此次未公开膜使用的材料。据介绍,硅量子点膜没有使用违反RoHS指令的物质。

Lee表示,普通的CMOS图像传感器,进行光检测的硅层外部量子效率约为50%。并且,光照射到硅层之前需要经过彩色滤光片和金属层,所以光量会减少50%左右。因此,“为了提高光检测能力,原来的CMOS图像传感器厂商会采用背面照射技术,或导入65nm工艺等最尖端制造技术。而我们的方法是对膜下层的硅半导体使用8英寸晶圆的110nm工艺”(Lee)。

据介绍,InVisage的图像传感器制造工艺,采用可追加到普通半导体生产线上的装置,并在CMOS层上形成硅量子点膜。该公司将图像传感器的生产委托给了台湾台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing)。

除了图像传感器领域以外,InVisage还称,正在考虑将其技术应用于太阳能电池及显示器领域。
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